www.vstek.com.cn
产品搜索

产品分类
  您的位置:    首 页 >> 技术资讯 >> 正文
基于SG3525A和IR2110的高频逆变电源设计

www.vstek.com.cn 2006年12月17日

    

 
来源:电子设计应用  作者:深圳市慧康医疗器械有限公司 王大贵 潘文胜

 

摘  要:本文简述了PWM控制芯片SG3525A和高压驱动器IR2110的性能和结构特点,同时详细介绍了采用以SG3525A为核心器件的高频逆变电源设计。
关键词:PWM;SG3525A;IR2110;高频逆变电源

引言
    随着PWM技术在变频、逆变频等领域的运用越来越广泛,以及IGBT、PowerMOSFET等功率性开关器件的快速发展,使得PWM控制的高压大功率电源向着小型化、高频化、智能化、高效率方向发展。

    本文采用电压脉宽型PWM控制芯片SG3525A,以及高压悬浮驱动器IR2110,用功率开关器件IGBT模块方案实现高频逆变电源。另外,用单片机控制技术对此电源进行控制,使整个系统结构简单,并实现了系统的数字智能化。

SG3525A性能和结构
    SG3525A是电压型PWM集成控制器,外接元 器件少,性能好,包括开关稳压所需的全部控制电路。其主要特性包括:外同步、软启动功能;死区调节、欠压锁定功能;误差放大以及关闭输出驱动 信号等功能;输出级采用推挽式电路结构,关断速度快,输出电流±400mA;可提供精密度为5V±1%的基准电压;开关频率范围100Hz~400KHz。

    其内部结构主要包括基准电压源、欠压锁定电路、锯齿波振荡器、误差放大器等,如图1所示。


图1 SG3525A内部框图及引脚功能

IR2110性能和结构
    IR2110是美国IR公司生产的高压、高速PMOSFET和IGBT的理想驱动器。该芯片采用HVIC和闩锁抗干扰制造工艺,集成DIP、SOIC封装。其主要特性包括:悬浮通道电源采用自举电路,其电压最高可达500V;功率器件栅极驱动电压范围10V~20V;输出电流峰值为2A; 逻辑电源范围5V~20V,而且逻辑电源地和功率地之间允许+5V的偏移量;带有下拉电阻的COMS施密特输入端,可以方便地与LSTTL和CMOS电平匹配;独立的低端和高端输入通道,具有欠电压同时锁定两通道功能; 两通道的匹配延时为10ns;开关通断延时小,分别为120ns和90ns;工作频率达500kHz。

    其内部结构主要包括逻辑输入,电平转换及输出保护等,如图2所示。


图2  IR2110内部框图及引脚功能

设计原理
高压侧悬浮驱动的自举原理
    IR2110用于驱动半桥的电路如图3所示。图中C1、VD1分别为自举电容和二极管,C2为VCC的滤波电容。假定在S1关断期间,C1已充到足够的电压VC1≈VCC。当HIN为高电平时,VM1开通,VM2关断,VC1加到S1的门极和发射极之间,C1通过VM1、Rg1和S1门极栅极电容Cgc1放电,Cgc1被充电。此时VC1可等效为一个电压源。当HIN为低电平时,VM2开通,VM1断开,S1栅极电荷经Rg1、VM2迅速释放,S1关断。经短暂的死区时间(td)之后,LIN为高电平,S2开通,VCC经VD1、S2给C1充电,迅速为C1补充能量。如此循环反复。 


图3 驱动半桥自举电路


自举元件设计
    自举二极管(VD1)和电容(C1)是IR2110在PWM应用时需要严格挑选和设计的元器件,应根据一定的规则对其进行调整,使电路工作在最佳状态。

    在工程应用中,取自举电容C1>2Qg/(VCC-10-1.5)。式中,Qg为IGBT门极提供的栅电荷。假定自举电容充电路径上有1.5V的压降(包括VD1的正向压降),则在器件开
通后,自举电容两端电压比器件充分导通所需要的电压(10V)要高。

    同时,在选择自举电容大小时,应综合考虑悬浮驱动的最宽导通时间ton(max)和最窄导通时间ton(min)。导通时间既不能太大影响窄脉冲的驱动性能,也不能太小而影响宽脉冲的驱动要求。根据功率器件的工作频率、开关速度、门极特性对导通时间进行选择,估算后经调试而定。

    VD1主要用于阻断直流干线上的高压,其承受的电流是栅极电荷与开关频率之积。为了减少电荷损失,应选择反向漏电流小的二极管。

    运用SG3525A和IR2110构成的高频逆变主电路图

    高频逆变主电路如图4所示,逆变高压电路由全桥驱动组成。功率开关Q1~Q4采用IGBT模块。逆变主电路把直流电压V1转换为20kHz的高频矩形波交流电压送到高频高压变压器T1,经升压整流滤波后提供给负载供电。电路通过控制PWM1和PWM2的占空比,来得到脉宽可调的矩形波交流电压。VF为高压采样端反馈到控制系统的电压。


图 4  高压逆变主电路图


单片机组成的控制系统
    图5所示为完整的高压逆变电源系统框图,它主要包括主电路及控制电路两部分。主电路主要包括逆变器直流电源、IGBT桥式逆变器、保护电路、高频高压变压器、高频高压硅堆(高频整流器)等。控制电路主要包括电流、电压采样及其处理单元,PWM信号产生和驱动电路,单片机控制器,参数输入键盘及液晶显示,通信接口等部分。为了更好的解决系统的干扰、隔离、电磁兼容等问题,在控制部分和主电路采用光耦完全隔离。

    此硬件系统配上软件系统,可使整个系统具有完整的人机界面和自诊断等智能化功能。


图5  单片机控制的逆变系统  

结语
    由PWM控制芯片SG3525A和高压驱动器IR2110组成的高频逆变电源,具有体积小、控制方便、电能利用效率高等优点。此系统目前已被用于医疗设备的高频电源。
   
参考文献:
1 智能化高频开关电源设计[J]. 电力电子技术. 1996.30(3)
2 电子变压器手册. 辽宁科学技术出版社. 1998.8
3 LPC900系列Flash单片机应用技术. 北京航空航天大学出版社.2004.1

Copyright©2008- SHENZHEN CO., LTD.  All right reserved 粤ICP备13042286号-1
深圳市威尔斯泰电子科技有限公司  工厂地址:深圳市宝安区 访问统计: 
业务电话:0755-8836 5353  图文传真:0755-8836 3369  移动电话:138 2882 5891   在线咨询:  
在线网站:www.vstek.com.cn  电子邮箱:sz@vstek.com.cn   技术支持:中采网 IC160.com